Интернет-магазин My-shop.ru
Акции   
Персональный раздел v
   Доставка    Оплата    Скидки    Форум    Помощь
для Москвы  +7 (495) 638-53-38
бесплатно для РФ  +7 (800) 100-53-38
 
0
ХИТЫ 2017 ГОДАДо конца лета — скидки на модные игрушки и беговелы, а также на популярные товары для сада и огорода!СКИДКА 20%
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

Автор/составитель: Красников Геннадий Яковлевич
Издательство: Техносфера

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.

999 руб.
в наличии*
ориентировочная дата отгрузки: 21.08.2017 (Пн.)
шт.
отложить
дата выпуска2011 г. 
издание2-е
языкрусский
количество томов1
количество страниц800 стр.
переплеттвердый
формат70x100/16 (170x240 мм)
ISBN978-5-94836-289-2
тираж1000 экз.
стандарт5 шт. 
возрастная категория18+ (нет данных)
код системы скидок25
код в My-shop.ru1103979
Бестселлеры раздела...