Интернет-магазин My-shop.ru
Акции   
Персональный раздел v
   Доставка    Оплата    Скидки    Форум    Помощь
для Москвы  +7 (495) 638-53-38
бесплатно для РФ  +7 (800) 100-53-38
 
0
• 
Книги (690923)
• 
Научная и научно-популярная литература (68669)
• 
Прикладные науки. Техника (6537)
• 
Космонавтика (108)

• 
Книги (690923)
• 
Научная и научно-популярная литература (68669)
• 
Прикладные науки. Техника (6537)
• 
Автоматика. Радиоэлектроника. Связь (879)
• 
Электроника. Радиоэлектроника (425)

• 
Образование, учебная литература (188353)
• 
Для специалистов (10146)
• 
Техника. Электротехника. Приборо- и машиностроение. Промышленность (567)
• 
Научные издания, теории, монографии, статьи, лекции (158)



Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Таперо К.И. (найти все товары), Улимов В.Н., Членов А.М.

Заглянуть внутрь (несколько страниц в формате PDF)
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического примененияВ монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.
Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Издательство: Бином. Лаборатория знаний
Серия: Вузовская и профессиональная литература. Информационные технологии

Рейтинг: - (голосов: 0)
Ваша оценка: 1 2 3 4 5  

дата выпуска: 2014 г. 
язык: русский
количество томов: 1
количество страниц: 304 стр.
переплет: твердый
формат: 60x90/16 (145x215 мм)
стандарт: 12 шт.
возрастная категория: 18+ (нет данных)
код системы скидок: 25
код в My-shop.ru: 1159000

ISBN: 978-5-9963-0633-6


Таперо К.И.автор/составительТаперо К.И., найти все товары
Улимов В.Н.автор/составительУлимов В.Н., найти все товары
Членов А.М.автор/составительЧленов А.М., найти все товары


Содержание:

Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Глава 1. Основы физики взаимодействия ионизирующих
излучений с полупроводниками. . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.1. Краткое описание радиационных характеристик
в окружающем пространстве . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.1. Радиационные условия в космическом
пространстве. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.2. Ионизирующие излучения ядерного взрыва . . . . . . . . 13
1.1.3. Ионизирующие излучения атомных
электростанций . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.2. Величины, характеризующие ионизирующее
излучение и его взаимодействие с веществом . . 17
1.2.1. Характеристики ионизирующего излучения
и его поля . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.2.2. Характеристики взаимодействия ионизирующего
излучения с веществом. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.2.3. Дозиметрические величины и единицы . . . . . . . . . . . . 21
1.2.4. Характеристики изотопных источников
ионизирующих излучений . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1.3. Физические процессы при взаимодействии
ионизирующих излучений с материалами
электронной техники . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
1.3.1. Первичные радиационные эффекты
в полупроводниковых материалах. . . . . . . . . . . . . . . . . 27
1.3.2. Смещение атомов из узлов решетки
при воздействии ионизирующих излучений . . . . . . . . 29
1.3.3. Ионизация при воздействии проникающей
радиации на полупроводниковые материалы . . . . . . . 44
1.3.4. Ядерные превращения при воздействии
ионизирующих излучений . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
1.3.5. Термостабильные радиационные центры
в полупроводниках . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
1.3.6. Изменение электрофизических параметров
полупроводников при радиационном облучении . . . . 61
Глава 2. Изменение электрофизических параметров
биполярных приборных структур в результате
введения структурных дефектов
при радиационном облучении . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
2.1. Диодные структуры. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
2.2. Транзисторные структуры. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
2.3. Устойчивость радиационных изменений
электрических параметров полупроводниковых
приборов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
Глава 3. Дозовые ионизационные эффекты в структуре
Si/SiO2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
3.1. Особенности строения структуры Si/SiO2 . . . . . . 82
3.1.1. Особенности строения диоксида кремния . . . . . . . . . . 82
3.1.2. Особенности строения границы раздела Si/SiO2 . . . . . 88
3.1.3. Влияние водорода и водородсодержащих
соединений на свойства структуры Si/SiO2 . . . . . . . . . 92
3.2. Методы исследований заряда в оксиде
и плотности поверхностных состояний . . . . . . . . 96
3.2.1. Метод вольт-фарадных характеристик. . . . . . . . . . . . . 96
3.2.2. Метод подпороговых вольт-амперных
характеристик . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
3.2.3. Методы, основанные на измерении надпороговой
вольт-амперной характеристики транзисторов . . . . 103
3.2.4. Метод накачки заряда . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
3.3. Накопление и релаксация зарядов в структуре
Si/SiO2 при радиационном облучении
и отжиге. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
3.3.1. Общее описание процессов накопления заряда
в структурах Si/SiO2 при радиационном
облучении . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
3.3.2. Выход заряда . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
3.3.3. Перенос дырок через SiO2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
3.3.4. Накопление и нейтрализация заряда
на ловушках в оксиде . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
3.3.5. Механизм нейтрализации заряда в оксиде . . . . . . . . 122
3.3.6. Особенности накопления поверхностных состояний
при радиационном облучении . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
3.3.7. Латентное накопление поверхностных состояний . . 132
3.3.8. Накопление поверхностных состояний
в зависимости от интенсивности излучения . . . . . . . 134
3.3.9. Отжиг поверхностных состояний . . . . . . . . . . . . . . . . 137
3.3.10.Механизм накопления поверхностных состояний . . 138
3.3.11.Граничные ловушки. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
Глава 4. Влияние космической радиации
на характеристики приборов и микросхем,
изготовленных на основе МОП-структур . . . . . 149
4.1. Изменение характеристикМОП-транзисторов
и логических КМОП-элементов
прирадиационномоблучении . . . . . . . . . . . . . . . 149
4.2. Влияние конструктивно-технологических
характеристик на радиационную стойкость
МОП-структур . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
4.3. Радиационные эффекты в МОП-структурах
с ультратонкими оксидами . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
4.4. Некоторые особенности дозовых
радиационных эффектов в МДП-структурах
с альтернативными диэлектриками . . . . . . . . . 163
4.5. Влияние полевых оксидов
на радиационную стойкость ИС . . . . . . . . . . . . . 168
4.6. Особенности проявления дозовых радиационных
эффектов в микросхемах, изготовленных
по КНИ-технологии. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
Глава 5. Особенности радиационных испытаний
приборов и микросхем на основе МОП-
и КМОП-структур . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184
5.1. Корреляция между отдельными
транзисторами и микросхемами. . . . . . . . . . . . . 184
5.2. Наихудший электрический режим . . . . . . . . . . 187
5.3. Влияние на радиационную стойкость
высокотемпературной нагрузки перед
облучением . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
5.4. Выбор источников ионизирующих излучений
при проведении радиационных испытаний
МОПиКМОПИС . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199
5.5. Процедуры радиационных испытаний,
учитывающие влияние факторов
низкой интенсивности облучения . . . . . . . . . . . 204
Глава 6. Особенности деградации биполярных приборов
и микросхем при воздействии
низкоинтенсивного ионизирующего
излучения (эффект ELDRS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 210
6.1. Влияние интенсивности излучения
на радиационный отклик
биполярных транзисторов . . . . . . . . . . . . . . . . . . 211
6.2. Влияние интенсивности излучения
на радиационный отклик биполярных
интегральных схем . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
6.3. Физические модели эффектов
низкоинтенсивного облучения
биполярных приборов и микросхем. . . . . . . . . . 225
6.4. Проблема экспериментального моделирования
воздействия излучений низкойинтенсивности
набиполярныеизделия . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227
6.5. Выводы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 231
Глава 7. Одиночные события в БИС при воздействии
отдельных заряженных частиц космического
пространства. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233
7.1. Основные виды и классификация
одиночных событий . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 234
7.1.1. Краткое описание основных видов ОС. . . . . . . . . . . . . 235
7.1.2. Основные параметры чувствительности
полупроводниковых приборов и микросхем
к одиночным событиям . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 246
7.2. Физические процессы, приводящие
к возникновению одиночных событий . . . . . . . 252
7.2.1. Общее описание процессов
возникновения одиночных событий . . . . . . . . . . . . . . 252
7.2.2. Образование носителей заряда (ионизация) . . . . . . . 257
7.2.3. Рекомбинация неравновесных носителей заряда. . . 264
7.2.4. Перенос неравновесных носителей . . . . . . . . . . . . . . . 270
7.2.5. Сбор заряда. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 273
7.3. Экспериментальные методы исследования
чувствительности изделий полупроводниковой
электроники к одиночным событиям
при воздействии тяжелых заряженных частиц
и протонов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 279
7.3.1. Эксперименты на ускорителях протонов . . . . . . . . . . 280
7.3.2. Эксперименты на ускорителях ионов . . . . . . . . . . . . . 282
7.3.3. Эксперименты с изотопными источниками. . . . . . . . 286
7.3.4. Эксперименты с использованием ионных
микропучков . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 288
7.3.5. Эксперименты с использованием имитаторов. . . . . . 288
Список литературы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 289
Список сокращений . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 298

Заглянуть внутрь (несколько страниц в формате PDF)
353 руб.
в наличии*
ориентировочная дата отгрузки: 07.12.2016 (Ср.)
шт.
отложить

|