Лучшие игрушки со всего света для тех, кто весь год был паинькой!
×
Интернет-магазин My-shop.ru
Персональный раздел v
   Доставка    Оплата    Скидки    Форум    Помощь
для Москвы  +7 (495) 638-53-38
бесплатно для РФ  +7 (800) 100-53-38
 
0
%
^
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Авторы/составители: Таперо К.И., Улимов В.Н., Членов А.М.
Издательство: Бином. Лаборатория знаний
Серия: Вузовская и профессиональная литература. Информационные технологии

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.
Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

388 руб.
в наличии*
ориентировочная дата отгрузки: 20.12.2018 (Чт.)
шт.
отложить
Бестселлеры раздела...