Книги / Научная и научно-популярная литература / Естественные науки / Физика / Научная, учебная литература для специалистов
Образование, учебная литература / ВУЗовская литература / Физика / Учебники: доп. пособия

Физические основы микро- и наноэлектроники. Учебное пособие

Дурнаков Андрей Адольфович

Код товара: 4875097

(0 оценок)Оценить

ОтзывНаписать отзыв

ВопросЗадать вопрос

1 / 3

-30%

784

1 120

Доставим в

г. Химки, Московская обл.

Планируемая дата

4 мая (Сб)

Курьером

бесплатно от 10 000 ₽

В пункт выдачи

от 155 ₽

бесплатно от 10 000 ₽

Точная стоимость доставки рассчитывается при оформлении заказа

Издательство:

Флинта

Год издания:

Описание

Характеристики

Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние p?n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных p?n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.

количество томов

количество страниц

248 стр.

переплет

Мягкая обложка

размеры

220x160x13 мм

тип бумаги

офсетная (60-220 г/м2)

ISBN

978-5-9765-5060-5

возрастная категория

18+ (нет данных)

вес

326 г

код в Майшоп

4875097

Содержание

Предисловие
1. Физический эффект и его компоненты
1.1. Определение физического эффекта
1.2. Физические эффекты в электронике
2. Однородный полупроводник
2.1. Собственный полупроводник
2.2. Электронный полупроводник
2.3. Дырочный полупроводник
3. Уровень Ферми
Задачи к практическому занятию № 1
4. Дрейф. Электропроводность
5. Генерация и рекомбинация в полупроводниках
6. Диффузионный ток. Законы движения носителей
заряда в полупроводниках
Задачи к практическому занятию № 2
7. Применение однородных полупроводников
7.1. Варисторы
7.2. Терморезисторы
7.3. Фоторезисторы
8. р-n Переход
8.1. Определение и классификация р-n переходов
8.2. Технология производства р-n перехода
8.3. Равновесное состояние р-n перехода
8.4. Ток в р-n переходе в равновесном состоянии
8.5. Контактная разность потенциалов
8.6. Энергетическая диаграммар-n перехода
в равновесном состоянии
8.7. Неравновесное состояние р-n перехода
8.8. Идеальный р-n переход
8.9. Реальный р-n переход
8.10. Эквивалентные схемы реального р-n
перехода
8.11. Пробой р-n перехода
8.12. Туннелирование в сильнолегированных
р-n переходах
Задачи к практическому занятию № 3
Задачи к практическому занятию № 4
9. Гетеропереходы
9.1. Общие сведения о гетеропереходах
9.2. Энергетическая диаграмма гетероперехода
9.3. Прямосмещенный гетеропереход
9.4. Получение гетеропереходов
9.5. Электрические свойства гетеропереходов
9.6. Применение гетеропереходов в
оптоэлектронике
Библиографический список
Приложение. Домашние задания

Отзывы

Вопросы

Поделитесь своим мнением об этом товаре с другими покупателями — будьте первыми!

Дарим бонусы за отзывы!

За какие отзывы можно получить бонусы?

За уникальные, информативные отзывы, прошедшие модерацию

Как получить больше бонусов за отзыв?

Публикуйте фото или видео к отзыву
Пишите отзывы на товары с меткой "Бонусы за отзыв"

Правила начисления бонусов

Задайте вопрос, чтобы узнать больше о товаре

Если вы обнаружили ошибку в описании товара «Физические основы микро- и наноэлектроники. Учебное пособие» (авторы: Дурнаков Андрей Адольфович), то выделите её мышкой и нажмите Ctrl+Enter. Спасибо, что помогаете нам стать лучше!