Книги / Научная и научно-популярная литература / Прикладные науки. Техника / Автоматика. Радиоэлектроника. Связь / Электроника. Радиоэлектроника
Диагностический контроль качества светодиодов по локальным параметрам
Фролов Илья Владимирович, Сергеев Вячеслав Андреевич
Код товара: 4932092
(0 оценок)Оценить
ОтзывНаписать отзыв
ВопросЗадать вопрос
1 / 2
1 / 2
Издательство:
Год издания:
2023 г.
Может быть отгружен товар указанного или более позднего года
Серия:
Описание
Характеристики
Представлено описание оригинальных методов и средств контроля качества светодиодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами по электрофизическим и электрооптическим характеристикам. Особое внимание уделено способам диагностики дефектов светоизлучающих InGaN/GaN гетеро-структур по статическим и динамическим параметрам электролюминесценции и фотоэлектрического отклика, измеренным в локальных областях кристалла светодиода. Рассматриваются модели деградации светодиодов на основе InGaN/GaN гетеро-структур, учитывающие неоднородное распределение дефектов в активной области.
Монография может быть полезна научным работникам, преподавателям высших технических учебных заведений, аспирантам соответствующих специальностей, а также инженерам и технологам, занимающимся разработкой светоизлучающих диодов и устройств на их основе.
Представлено описание оригинальных методов и средств контроля качества светодиодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами по электрофизическим и электрооптическим характеристикам. Особое внимание уделено способам диагностики дефектов светоизлучающих InGaN/GaN гетеро-структур по статическим и динамическим параметрам электролюминесценции и фотоэлектрического отклика, измеренным в локальных областях кристалла светодиода. Рассматриваются модели деградации светодиодов на основе InGaN/GaN гетеро-структур, учитывающие неоднородное распределение дефектов в активной области.
Монография может быть полезна научным работникам, преподавателям высших технических учебных заведений, аспирантам соответствующих специальностей, а также инженерам и технологам, занимающимся разработкой светоизлучающих диодов и устройств на их основе.
Монография может быть полезна научным работникам, преподавателям высших технических учебных заведений, аспирантам соответствующих специальностей, а также инженерам и технологам, занимающимся разработкой светоизлучающих диодов и устройств на их основе.
Представлено описание оригинальных методов и средств контроля качества светодиодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами по электрофизическим и электрооптическим характеристикам. Особое внимание уделено способам диагностики дефектов светоизлучающих InGaN/GaN гетеро-структур по статическим и динамическим параметрам электролюминесценции и фотоэлектрического отклика, измеренным в локальных областях кристалла светодиода. Рассматриваются модели деградации светодиодов на основе InGaN/GaN гетеро-структур, учитывающие неоднородное распределение дефектов в активной области.
Монография может быть полезна научным работникам, преподавателям высших технических учебных заведений, аспирантам соответствующих специальностей, а также инженерам и технологам, занимающимся разработкой светоизлучающих диодов и устройств на их основе.
количество томов
1
количество страниц
160 стр.
переплет
Мягкая обложка
размеры
205x140x10 мм
тип бумаги
офсетная (60-220 г/м2)
ISBN
978-5-91359-516-4
возрастная категория
18+ (нет данных)
вес
код в Майшоп
4932092
язык
русский
Содержание
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1 Контроль качества светоизлучающих
гетероструктур по электрофизическим и
электрооптическим характеристикам
ГЛАВА 2 Влияние дефектов гетероструктур на
параметры излучательной и безызлучательной
рекомбинации
ГЛАВА 3 Определение рекомбинационных
параметров гетероструктур по характеристикам
электролюминесценции
ГЛАВА 4 Измерение граничной частоты
электролюминесценции в локальных областях
светоизлучающих гетероструктур
ГЛАВА 5 Диагностика светоизлучающих
гетероструктур по локальным параметрам
электролюминесценции
ГЛАВА 6 Диагностика светоизлучающих
гетероструктур методами фотоэлектрической
спектроскопии с локальным фотовозбуждением
ГЛАВА 7 Изменение параметров
электролюминесценции в локальных областях
гетероструктуры в процессе испытаний
светодиодов
Заключение
Библиографический список
Приложение А
Приложение Б
ГЛАВА 1 Контроль качества светоизлучающих
гетероструктур по электрофизическим и
электрооптическим характеристикам
ГЛАВА 2 Влияние дефектов гетероструктур на
параметры излучательной и безызлучательной
рекомбинации
ГЛАВА 3 Определение рекомбинационных
параметров гетероструктур по характеристикам
электролюминесценции
ГЛАВА 4 Измерение граничной частоты
электролюминесценции в локальных областях
светоизлучающих гетероструктур
ГЛАВА 5 Диагностика светоизлучающих
гетероструктур по локальным параметрам
электролюминесценции
ГЛАВА 6 Диагностика светоизлучающих
гетероструктур методами фотоэлектрической
спектроскопии с локальным фотовозбуждением
ГЛАВА 7 Изменение параметров
электролюминесценции в локальных областях
гетероструктуры в процессе испытаний
светодиодов
Заключение
Библиографический список
Приложение А
Приложение Б
Отзывы
Вопросы
Поделитесь своим мнением об этом товаре с другими покупателями — будьте первыми!
Дарим бонусы за отзывы!
За какие отзывы можно получить бонусы?
- За уникальные, информативные отзывы, прошедшие модерацию
Как получить больше бонусов за отзыв?
- Публикуйте фото или видео к отзыву
- Пишите отзывы на товары с меткой "Бонусы за отзыв"
Задайте вопрос, чтобы узнать больше о товаре
Если вы обнаружили ошибку в описании товара «Диагностический контроль качества светодиодов по локальным параметрам» (авторы: Фролов Илья Владимирович, Сергеев Вячеслав Андреевич), то выделите её мышкой и нажмите Ctrl+Enter. Спасибо, что помогаете нам стать лучше!