Книги / Научная и научно-популярная литература / Прикладные науки. Техника / Автоматика. Радиоэлектроника. Связь / Электроника. Радиоэлектроника
Образование, учебная литература / ВУЗовская литература / Информатика. Электроника. Связь / Учебники: доп. пособия
Образование, учебная литература / ВУЗовская литература / Информатика. Электроника. Связь / Учебники: доп. пособия
Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов
Александрова Ольга Анатольевна, Лебедев Андрей Олегович, Мараева Евгения Владимировна
Код товара: 4962858
(0 оценок)Оценить
ОтзывНаписать отзыв
ВопросЗадать вопрос
1 / 20
1 / 20
Издательство:
Год издания:
2023 г.
Описание
Характеристики
Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста.
Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации.
Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.
Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации.
Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.
количество томов
1
количество страниц
216 стр.
переплет
Твёрдый переплёт
размеры
243x170x14 мм
цвет
Белый
тип бумаги
офсетная (60-220 г/м2)
ISBN
978-5-507-45481-5
возрастная категория
18+ (нет данных)
вес
код в Майшоп
4962858
язык
русский
Отзывы
Вопросы
Поделитесь своим мнением об этом товаре с другими покупателями — будьте первыми!
Дарим бонусы за отзывы!
За какие отзывы можно получить бонусы?
- За уникальные, информативные отзывы, прошедшие модерацию
Как получить больше бонусов за отзыв?
- Публикуйте фото или видео к отзыву
- Пишите отзывы на товары с меткой "Бонусы за отзыв"
Задайте вопрос, чтобы узнать больше о товаре
Если вы обнаружили ошибку в описании товара «Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов» (авторы: Александрова Ольга Анатольевна, Лебедев Андрей Олегович, Мараева Евгения Владимировна), то выделите её мышкой и нажмите Ctrl+Enter. Спасибо, что помогаете нам стать лучше!