СВЧ-электроника в системах радиолокации и связи. Техническая энциклопедия. В 2-х книгах. Книга 2

Глава 11. Полупроводниковые СВЧ-приборы для
РЛС
11.1. Элементная база приемопередающих
модулей для фазированных
антенных решеток
11.1.1. Аттенюаторы для приемопередающих
модулей
активных фазированных антенных решеток
11.1.2. Двухполюсные переключатели для АФАР
11.1.3. Фазовращатели для АФАР
11.1.4. Предусилители приемопередатчика для
АФАР
11.1.5. Малошумящие усилители и усилители
мощности для АФАР
11.1.6. Помехоподавляющие фильтры для АФАР
11.2. Отечественная элементная база СВЧ-
приборов для РЛС
11.2.1. Отечественные GaAs активные элементы
для приемопередающих СВЧ-модулей
сантиметрового диапазона
11.2.2. СВЧ-приборы АО "Микроволновые
системы"
11.2.2.1. Широкополосные усилители мощности
дециметрового диапазона на основе карбида
кремния
11.2.2.2. Сверхширокополосные СВЧ-усилители
мощности
диапазона 6-18 ГГц
11.2.2.3. Технические параметры серии мощных
и маломощных СВЧ-усилителей производства АО
"Микроволновые системы"
11.3. Отечественные СВЧ-комплектующие на
GaAs производства
ЗАО "НПП "Планета-Аргалл"
11.3.1. Транзисторные усилители
11.3.2. Защитные устройства
11.3.3. СВЧ-транзисторы
11.4. Особенности проектирования частотно-
избирательных
микросхем на ПАВ
11.5. Радиоприемные СВЧ-устройства
производства НПП "Пульсар"
11.6. Высокоскоростные аналого-цифровые
преобразователи
для РЛС
11.7. Зарубежные микросхемы для
приемопередающих модулей РЛС
на основе нитрида галлия
11.7.1. Приемопередающие модули АФАР на
основе GaN
11.7.2. Монолитные GaN СВЧ-усилители мощности
11.7.3. СВЧ-микросхемы переключателей на
основе GaN
11.7.4. Оптимизация конструкции GaN СВЧ-
транзисторов
11.7.5. СВЧ-микросхемы компании RFHIC
11.7.5.1. СВЧ-микросхемы на GaN для систем
беспроводной связи
11.7.5.2. GaN-усилители для импульсных РЛС
11.8. ВЧ- и СВЧ-приборы компании Mini-Circuits
11.8.1. Интегрированные монолитные усилители
группы VNA
11.8.2. Двойные балансные смесители группы
MCA1
11.8.3. Серия универсальных высокочастотных
усилителей
11.8.4. Смесители частот
11.8.5. Аттенюаторы ВЧ- и СВЧ-диапазонов
11.9. СВЧ-микросхемы компании Hittite
Microwave
11.9.1. СВЧ-микросхемы аттенюаторов компании
Hittite Microwave
11.9.1.1. Типовые микросхемы аттенюаторов с
аналоговым
управлением
11.9.1.2. Микросхемы аттенюаторов с цифровым
управлением
11.9.1.3. СВЧ и сверхширокополосные усилители
с фиксированным усилением
11.9.2. Монолитные СВЧ-микросхемы полных
синтезаторов
частоты компании Hittite Microwave
11.9.2.1. Монолитные микросхемы PLL СВЧ-
синтезаторов ....
11.9.2.2. Трехдиапазонные монолитные
микросхемы
синтезаторов
11.9.2.3. Широкодиапазонные монолитные
микросхемы
синтезаторов
11.9.2.4. Микросхемы HMC983 и HMC984
для построения сверхширокополосных
синтезаторов
11.9.2.5. Монолитные микросхемы
широкодиапазонных
синтезаторов HMC701/702/703
11.9.2.6. Программное обеспечение монолитных
микросхем
синтезаторов
11.10. Особенности выбора элементной базы для
систем вторичного
электропитания приемопередающих модулей АФАР
11.10.1. Принципы построения системы
электропитания
для ППМ АФАР
11.10.2. Технологические особенности
изготовления
DC/DC преобразователей
11.10.3. Особенности преобразователей SynQor
серии Hi-Rel
11.10.4. Электромагнитные процессы в системе
питания
ППМ АФАР
Глава 12. ВЧ и СВЧ комплектующие компоненты
для РЛС
12.1. Микрополосковые фильтры для СВЧ-
систем
12.2. Особенности применения СВЧ-фильтров
на акустических волнах
12.3. Особенности использования специальных
конструктивных
решений кабельных гермовводов для СВЧ-
устройств
12.4. Отечественные мощные полосковые
СВЧ-резисторы
12.5. Высокочастотные соединения для
активных фазированных
антенных решеток
12.6. ВЧ- и СВЧ-комплектующие компании
Spectrum Advanced
Specialty Products
12.7. Керамические СВЧ-компоненты для РЛС
12.7.1. Керамические конденсаторы
12.8. Сетевые фильтры и пленочные
конденсаторы для РЛС
12.9. Специальные соединители и кабельные
сборки
12.10. Эволюция корпусов для устройств и
блоков РЭА
Глава 13. Методы и средства обеспечения
надежности
радиолокационных систем и систем связи
13.1. Электромагнитная совместимость:
термины, определения,
классификация
13.1.1. Природа электромагнитных помех
13.1.2. Термины, определения, классификация
ЭМС
13.1.3. Нормы и стандарты электромагнитной
совместимости
13.2. Обеспечение электромагнитной
совместимости
микропроцессорных блоков управления РЛС
13.2.1. Особенности проектирования печатных
плат,
оптимизированных по электромагнитной
совместимости
13.2.2. Измерение уровня помех, излучаемых
микроконтроллерами
13.2.3. Обеспечение электромагнитной
совместимости
в проводных системах связи
13.2.4. Проектирование печатных плат для
высокоскоростных
систем связи
13.3. Защитные СВЧ-устройства для РЛС и
систем связи
13.3.1. Классификация и особенности создания
защитных
СВЧ-устройств для радиолокации и связи
13.3.2. Газоразрядные защитные устройства
13.3.3. Полупроводниковые защитные
устройства
13.3.4. Вакуумные защитные устройства
13.4. Особенности оценки ресурса СВЧ-
устройств с учетом
надежности механических составных частей
13.5. Особенности организации цепей
электропитания
СВЧ-устройств РЛС
13.6. ВЧ- и СВЧ-компоненты для подавления
электромагнитных
помех
13.7. Особенности оценки ресурса СВЧ-
устройств с учетом
надежности механических частей
13.8. Стандартные методы испытаний СВЧ-
устройств на устойчивость
к электростатическим разрядам
13.8.1. Стандарты испытания на уровне
устройства
13.8.1.1. Модель человеческого тела
13.4.1.2. Машинная модель
13.8.1.3. Модель заряженного устройства
13.8.2. Сравнение методов испытаний на уровне
устройства
13.8.3. Стандарты испытаний на системном
уровне
13.8.3.1. Устойчивость к электростатическому
разряду
13.8.3.2. Устойчивость к быстрому переходному
процессу
13.8.3.3. Устойчивость к всплескам напряжения
13.9. Пассивная интермодуляция в СВЧ-цепях
13.9.1. Механизмы возникновения пассивной
интермодуляции
13.9.2. Причины появления пассивной
интермодуляции
и методы снижения ее уровня в радиочастотных
соединителях
13.9.3. ПИМ в материале печатной платы
13.9.4. ПИМ в полосковых, коаксиальных и
волноводных
линиях передачи
13.9.5. ПИМ в направленных ответвителях,
частотных дуплексерах
и трансформаторах
13.9.6. Внешние источники ПИМ
13.9.7. Способы оценки уровня ПИМ
13.9.8. Специализированная аппаратура для
тестирования ПИМ
Глава 14. Радиофотоника в телекоммуникационных
и радиолокационных системах
14.1. Фотонные устройства на основе
поверхностно излучающих
лазеров с вертикальным резонатором
14.2. Конструкция длинноволнового
поверхностно излучающего
лазера сплавной конструкции
14.3. Основные технические характеристики
длинноволнового
поверхностно излучающего лазера сплавной
конструкции
14.3.1. Электрические и энергетические
характеристики
14.3.2. Малосигнальные частотно-
модуляционные
характеристики
14.3.3. Шумовые характеристики
14.3.4. Линейность в режиме большого сигнала
14.3.5. Спектральные и перестроечные
характеристики
14.4. Лазеры непрерывной генерации: VECSEL,
MEMS-VCSEL, LICSEL ...
14.5. Лазеры импульсной генерации: VECSEL-
SESAM, MIXSEL
14.6. Основные направления фундаментальных
исследований
в области компонентной базы радиофотоники и
функциональных устройств на ее основе
14.7. Примеры применения радиофотонных
устройств в радиолокации
14.7.1. Активные линии задержки
14.7.2. Каналы передачи СВЧ-сигналов на
большие расстояния
14.7.3. Системы распределения радиосигналов по
полотну
АФАР РЛС
14.7.4. Измерительно-калибровочные средства
для РЛС
14.8. СВЧ-фотодетекторы для систем
радиофотоники, радиолокации
и оптоволоконной связи
14.8.1. Физические принципы работы СВЧ p-i-n-
фотодетекторов...
14.8.2. Физические механизмы ограничения
фототока
p-i-n-фотодиода
14.8.3. Конструктивные решения фотодиодов
14.8.3.1. Фотодиод с двойной обедненной
областью (DDR) ...
14.8.3.2. Фотодиод с частично обедненным
поглощающим
слоем (PDA)
14.8.3.3. Униполярный гетерофотодиод (UTC)
Глава 15. Измерения и анализ СВЧ-устройств
15.1. Особенности измерений и анализа цепей в
миллиметровом
иапазоне волн
15.2. Инструментальный анализ СВЧ-цепей в
миллиметровом
диапазоне волн (задачи, методы, средства)
15.2.1. Измеряемые "цепные" параметры СВЧ-
устройств
15.2.2. Измерительные задачи анализа СВЧ-цепей
15.2.3. Некоторые общие требования к
измерителям параметров
цепей миллиметрового диапазона волн
15.3. Ретроспективный анализ методов и
средств измерений параметров
СВЧ-цепей
15.3.1. Зондовые методы
15.3.1.1. Методы измерений на основе
измерительной
волноводной линии
15.3.1.2. Анализ погрешностей измерительной
линии
15.3.1.3. Измерительная линия с качанием частоты
15.3.1.4. Многозондовые измерительные линии.
Метод четырех зондов
15.3.1.5. Параметры серийных измерительных
линий
миллиметровых волн
15.4. Рефлектометрические методы измерений
параметров
СВЧ-цепей. Рефлектометры
15.5. Тенденции дальнейшего развития и новые
области применения
векторных анализаторов цепей
15.5.1. Основные тенденции развития ВАЦ
15.5.2. Новые частотные диапазоны и
измерительные среды
15.6. Повышение точностных характеристик
ВАЦ и дальнейшее
совершенствование методов и средств их
метрологического обеспечения
15.7. Расширение функциональных
возможностей, применение анализаторов цепей для
измерений параметров активных
и нелинейных СВЧ-устройств
15.7.1. Частотно-временные преобразования
15.7.2. Модуляционный векторный анализ цепей
15.7.3. Особенности измерений параметров
нелинейных
СВЧ-цепей
15.8. Автоматизированные аппаратные
средства для измерений параметров интегральных
схем на полупроводниковых пластинах
в миллиметровом диапазоне волн
15.8.1. Тестирование СВЧ интегральных схем
на полупроводниковых пластинах
15.8.2. Копланарные пробники
15.8.3. Автоматизированные комплексы
тестирования
ИС на полупроводниковых пластинах
15.8.4. Особенности калибровки измерительных
систем
при тестировании ИС на полупроводниковых
пластинах
15.8.5. О преимуществах РЧ- и микроволнового
тестирования
ИС на полупроводниковых пластинах
15.9. Векторные анализаторы цепей
миллиметровых волн.
Классификация и принципы построения
15.9.1. Типы и классификация векторных
анализаторов цепей
15.9.2. Гетеродинные ВАЦ
15.9.3. Гомодинные ВАЦ. Методы измерений в
зависимости
от модуляции опорного и измерительного сигналов
15.9.4. Схема с амплитудной модуляцией в
измерительном канале
15.9.4.1. Метод Шафера-Кона
15.9.4.2. Измерительный тракт гомодинного ВАЦ
с модуляцией измерительного сигнала
15.9.4.3. Схемы с линейной фазовой модуляцией и
фазовой
манипуляцией измерительного сигнала
15.9.4.4. Схема с модуляцией опорного сигнала
15.10. Гомодинные схемы с одновременной
модуляцией
измерительного и опорного сигналов
15.11. Структурные схемы автоматических
анализаторов цепей
гомодинного типа
15.11.1. Структурные схемы анализаторов цепей
с четырнадцати-полюсным измерительным СВЧ-
трактом
15.11.2. Структурная схема анализатора цепей
с десятиполюсным измерительным СВЧ-трактом
15.11.3. Структурная схема ВАЦ с
восьмиполюсным
измерительным СВЧ-трактом
15.12. Анализаторы цепей компании Keysight
15.12.1. Анализаторы цепей серии PNA-X
15.12.2. Особенности проведения испытаний
усилителей
анализаторами цепей PNA-X
15.12.3. Особенности тестирования нелинейных
устройств
анализаторами цепей PNA-X
15.12.4. Средства калибровки анализаторов цепей
15.12.5. Измерительные системы на основе
анализаторов
цепей
15.12.6. Анализаторы цепей PNA-L
15.12.7. Анализаторы цепей серии PNA
15.12.8. Нелинейные векторные анализаторы
цепей (NVNA)
15.12.9. Генератор сигналов Keysight UXG
Глава 16. Измерение электрофизических
параметров диэлектрических и
полупроводниковых материалов и структур СВЧ-
электроники
16.1. Анализ современного состояния
исследований в области
технологий контроля параметров диэлектрических
и проводящих материалов на СВЧ
16.1.1. Особенности использования СВЧ-методов
измерений
в полупроводниковой СВЧ-электронике
16.1.2. Измерение электрофизических
параметров материалов
волноводными методами
16.1.3. Измерение параметров полупроводников
мостовыми
методами
16.1.4. Измерение параметров полупроводников
резонаторными методами
16.1.5. Измерение параметров материалов
методом
волноводно-диэлектрического резонанса
16.1.6. Измерение параметров материалов и
структур
автодинными методами
16.1.7. Измерение параметров материалов с
использованием
синхронизированных генераторов
16.1.8. Ближнеполевая СВЧ-микроскопия свойств
материалов
16.1.9. Измерения толщины нанометровых слоев
металла
и электропроводности полупроводника в
структурах металл - полупроводник по спектрам
отражения и прохождения электромагнитного
излучения
16.2. Математическая модель и результаты
компьютерного моделирования взаимодействия
электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с
одномерными волноводными фотонными
структурами, включающими нанометровые
металлические,
диэлектрические и полупроводниковые слои
16.2.1. Взаимодействие СВЧ-излучения с
многослойными
структурами с плоскостями слоев,
перпендикулярных
направлению распространения излучения
16.2.1.1. Математическая модель
16.2.1.2. Результаты компьютерного
моделирования
спектров отражения волноводных фотонных
структур в различных диапазонах частот
16.2.1.3. Результаты компьютерного
моделирования зависимости спектров отражения
волноводных фотонных структур от положения
"нарушения" периодичности в структуре фотонного
кристалла ....
16.2.1.4. Результаты компьютерного
моделирования
зависимости спектров отражения волноводных
фотонных структур от параметров нарушения
16.2.1.5. Результаты компьютерного
моделирования
спектров отражения волноводных фотонных
структур, содержащих проводящие слои
16.3. Теоретическое обоснование метода
измерения параметров
материалов СВЧ с использованием одномерных
волноводных фотонных структур
16.3.1. Измерение диэлектрической
проницаемости материалов
16.3.2. Измерение комплексной диэлектрической
проницаемости
материалов с потерями
16.3.3. Измерение толщин нанометровых
металлических пленок
на диэлектрических или полупроводниковых
подложках
16.4. Результаты экспериментального
исследования взаимодействия
СВЧ-излучения с одномерными волноводными
фотонными структурами
16.4.1. Результаты экспериментального
исследования спектров
отражения и прохождения волноводных фотонных
кристаллов
16.4.2. Использование волноводных фотонных
структур
для измерения параметров нанометровых
металлических слоев на полупроводниковых и
диэлектрических подложках
16.4.2.1. Экспериментальное исследование
частотных
зависимостей коэффициента отражения фотонных
структур, содержащих нанометровые
металлические слои
16.4.2.2. Измерение электропроводности
металлических
пленок, нанесенных на диэлектрические подложки
16.4.2.3. Измерение толщин металлических пленок,
нанесенных на полупроводниковые подложки
16.4.2.4. Измерения толщины нанометровых слоев
металла и электропроводности полупроводника
в структурах металл - полупроводник
16.4.3. Использование волноводных фотонных
структур
для измерения параметров диэлектрических
материалов
16.4.3.1. Экспериментальное исследование
частотных
зависимостей коэффициента отражения фотонных
структур, содержащих неоднородности в виде
диэлектрических слоев
16.4.3.2. Измерение диэлектрической
проницаемости
материалов с низкими потерями
16.4.3.3. Измерение действительной и мнимой
частей
комплексной диэлектрической проницаемости
материалов с потерями
Глава 17. Радиационная стойкость СВЧ-устройств
17.1. Влияние ионизирующих излучений на
характеристики
кремний-германиевых интегральных схем СВЧ-
диапазона
17.1.1. Гетероструктурные биполярные
транзисторы
17.1.2. Микросхемы СВЧ МШУ И ШПУ
17.1.3. Микросхемы СВЧ ГУН
17.2. Особенности проектирования
радиационно-стойкой библиотеки проектирования
СВЧ функциональных блоков
на базе КМОП КНИ-технологии
17.2.1. Высокочастотные и шумовые свойства
отечественных
КНИ МОП-транзисторов
17.2.2. Приборное моделирование КНИ МОП-
транзистора
17.2.3. МОП-варикапы
17.2.4. R, С, L элементы
17.2.5. Разработка функциональных блоков
СВЧ-тракта
17.3. Особенности механизмов воздействия
факторов космического
пространства на образование локальных
радиационных эффектов
17.4. Особенности проектирования пассивных
элементов
для радиационно-стойких монолитных кремний-
германиевых СВЧ ИС
17.4.1. Микрополосковая линия передачи
17.4.2. Интегральные индуктивности
17.4.3. Симметрирующие трансформаторы
Глава 18. Методы и средства защиты от
электромагнитных излучений
18.1. Введение в проблему
18.2. Особенности влияния электромагнитных
излучений
на биологические объекты
18.2.1. Влияние излучений мобильного телефона
на биологические объекты
18.2.2. Биологическое действие
электромагнитных полей
18.2.3. Последствия действия электромагнитных
полей
для здоровья человека
18.3. Современные методы и средства
экранирования
электромагнитного излучения
18.3.1. Взаимодействие электромагнитного
излучения
с различными материалами
18.3.2. Конструкции защитных экранов
электромагнитного
излучения
18.3.2.1. Металлические конструкции защитных
экранов
18.3.2.2. Конструкции поглотителей
электромагнитного
излучения
18.3.2.3. Влагосодержащие конструкции защитных
экранов
электромагнитного излучения
18.4. Многослойные пленочные экраны для
защиты
от электромагнитных излучений
18.4.1. Технология формирования многослойных
пленочных
экранов
18.4.2. Защита от статических магнитных полей
18.4.3. Защита от низкочастотных
электромагнитных полей
18.4.4. Защита от импульсных электромагнитных
полей
18.4.5. Защита от воздействия
квазистационарных магнитных
полей
18.5. Методика оценки эффективности
магнитостатического
экранирования цилиндрическими экранами
18.5.1. Методика эксперимента
18.5.2. Анализ экспериментальных результатов
18.5.3. Аналитический расчет эффективности
экранирования
конечной цилиндрической оболочкой
8.5.3. Заключение
18.6. Поглотители электромагнитного
излучения
18.6.1. Гибкие конструкции поглотителей
электромагнитного
излучения с жидкостными наполнителями
18.6.2. Влагосодержание волокнистых
материалов
18.6.3. Защита от радиоэкологических
воздействий
на биологические объекты с помощью гибких
конструкций широкополосных экранов
электромагнитного излучения ....
18.7. Основные принципы экранирования
радиоэлектронной
аппаратуры
18.8. Воздействие преднамеренных
электромагнитных помех
на бортовые кабели космических аппаратов