Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике

Введение
Глава 1.
Исследование влияния магнитного поля на
химический потенциал электронов в висмуте и в
гетеропереходе GaAs-AlxGa1xAs
1.1. Эксперимент
1.2. Результаты
1.3. Обсуждение
Глава 2.
Краевые магнитоплазменные колебания высших
типов в двумерном электронном канале
2.1. Введение
2.2. Эксперимент
2.3. Результаты измерений
2.4. Обсуждение результатов
Глава 3.
Фотоэлектрические характеристики многослойных
р+-1-л+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
3.1. Результаты и их обсуждение
Глава 4.
Исследование процессов формирования S-
легированных слоев кремния в структурах
GaAs/AlxGa1xAs методом вторично-ионной масс-
спектроскопии
Глава 5.
Характеристика и особенности проводимости
приповерхностных S-легированных слоев в GaAs
при изменении концентрации двумерных
электронов
5.1. Введение
5.2. Образцы и условия измерений
5.3. Экспериментальные результаты
5.4. Самосогласованный расчет структуры
двумерных подзон и обсуждение результатов
Глава 6.
Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную
характеристику туннельно-резонансных диодов
Глава 7.
Исследование гетероструктуры InGaAs/GaAs (100)
методом рентгеновской дифрактометрии высокого
разрешения
Глава 8.
Оптическая спектроскопия двумерных
электронных состояний в модулированно-
легированных гетероструктурах N-AlGaAs/GaAs
8.1. Экспериментальная часть
8.2. Теоретические модели
8.3. Обсуждение результатов
Глава 9.
Прецизионные резисторы в микросхемах на
арсениде галлия
9.1. Введение
9.2. Тестовый кристалл для исследования
полупроводниковых резисторов
9.3. Эффективная ширина резисторов
9.4. Сопротивление легированного слоя,
омические контакты
9.5. Количественные оценки отношений
резисторов и флуктуации ширин резисторов
9.6. Выводы
Глава 10.
Оптические свойства легированных кремнием
слоев GaAs (100), выращенных методом
молекулярно-лучевой эпитаксии
10.1. Экспериментальная часть
10.2. Обсуждение результатов
10.3. Заключение
Глава 11.
Влияние кристаллографической ориентации
поверхности роста при молекулярно-лучевой
эпитаксии на оптические свойства легированных
кремнием слоев арсенида галлия
11.1. Введение
11.2. Экспериментальная часть
11.3. Результаты измерений
11.4. Обсуждение результатов
Глава 12.
Особенностимолекулярно-лучевой эпитаксии GaAs
на подложкахс ориентацией (111)А, (111)В
12.1. Введение
12.2. Получение пленок и методы исследования
12.3. Результаты исследований
12.4. Заключение
Глава 13.
Субчетвертьмикронная технология полевых
транзисторов на псевдоморфных гетероструктурах
с квантовой ямой
13.1. Введение
13.2. Экспериментальная часть
13.3. Обсуждение результатов
13.4. Заключение
Глава 14.
Транспортные и оптические свойства S-
легированных оловом GaAs-структур
14.1. Введение
14.2. Образцы и методика измерений
14.3. Проводимость и магнитосопротивление
исследованных структур
14.4. Энергетический спектр и
фотолюминесценция GaAs (S-SAi-структур
14.5. Осцилляции сопротивления в
параллельном к S-слою магнитном поле
14.6. Заключение
Глава 15.
Квантово-механические особенности эффекта поля
в гетеротранзисторах с модуляционным и S-
легированием.
15.1. Введение
15.2. Эффективная (самосогласованная)
плотность электронных состояний в канале
гетеротранзистора
15.3. Расчет электронных концентраций в
канале гетеротранзистора
15.4. Заключение
Глава 16.
Исследование распределения и перераспределения
кремния в тонких легированных слоях арсенида
галлия, выращенных методом молекулярной
лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями
(100), (111)А, (111)В
16.1. Введение
16.2. Экспериментальная часть
16.3. Результаты измерений и обсуждение
16.4. Заключение
Глава 17.
Исследование электрофизических и оптических
свойств S-легированных кремнием слоев GaAs,
выращенных методом МЛЭ на разориентированных
в направлении [211] поверхностях (111)A GaAs
17.1. Введение
17.2. Получение эпитаксиальных пленок и
методы исследования
17.3. Обсуждение результатов
Глава 18.
Подвижность электронов в квантовой яме
AlGaAs/GaAs/AlGaAs
18.1. Введение
18.2. Структуры AlGaAs/GaAs/AlGaAs,
выращенные методом молекулярно-лучевой
эпитаксии
18.3. Зависимость подвижности электронов от
толщины квантовой ямы
18.4. Подвижность электронов в квантовых
ямах AlGaAs/GaAs/AlGaAs при вырождении
электронного газа
18.5. Заключение
Глава 19.
Характеризация селективно-легированных
многослойных гетероструктур на основе GaAs с
квантовыми точками InAs
19.1. Введение
19.2. Эксперимент
19.3. Экспериментальные результаты и
обсуждение
19.4. Заключение
Глава 20.
Латеральный электронный транспорт в
короткопериодных сверхрешетках: InAs/GaAs на
пороге образования квантовых точек
20.1. Введение
20.2. Образцы
20.3. Результаты измерений и их обсуждение
20.4. Заключение
Глава 21.
Структурная характеризация двойных квантовых
ям AlGaAs/GaAs/AlGaAs с тонкими разделяющими
AlAs-слоями с помощью рентгеновской дифракции
21.1. Введение
21.2. Образцы и экспериментальные измерения
21.3. Результаты и обсуждение
21.4. Заключение
Глава 22.
Электронный транспорт в униполярных
гетероструктурных транзисторах с квантовыми
точками в сильных электрических полях
22.1. Введение
22.2. Структура транзистора с квантовыми
точками
22.3. Заселенность квантовых точек в канале
транзистора
22.4. Ток стока в полевом транзисторе с
квантовыми точками
22.5. Коэффициент усиления полевого
транзистора с квантовыми точками
22.6. Заключение
Глава 23.
Фотолюминесцентные исследования двойных
квантовых ям AlGaAs/GaAs/AlGaAs с тонким
разделяющим AlAs-слоем,
23.1. Введение
23.2. Эксперимент
23.3. Результаты расчета
23.4. Обсуждение результатов
23.5. Заключение
Глава 24.
Влияние легирования барьерных слоев AlGaAs на
структурные и электрофизические свойства
системы л-AlGaAs/GaAs/n-AlGaAs с тонким
разделяющим AlAs-слоем внутри GaAs
24.1. Введение
24.2. Образцы и методы измерений
24.3. Результаты и обсуждение
24.4. Заключение
Глава 25.
Большое повышение максимальной дрейфовой
скорости электронов в канале полевого
гетеротранзистора
25.1. Введение
25.2. Квантование моментов оптических
фононов и увеличение дрейфовой скорости в
слоистой гетероструктуре
25.3. Экспериментальное наблюдение
повышения дрейфовой скорости
25.4. Заключение
Глава 26.
Влияние температуры роста спейсерного слоя на
подвижность двумерного электронного газа в
PHEMT-структурах
26.1. Введение
26.2. Профиль зоны проводимости и
распределение электронной плотности
26.3. Образцы и методы исследований
26.4. Результаты и их обсуждение
26.5. Заключение
Глава 27.
Электрофизические и структурные свойства
двусторонне 8-легированныхPHEMT-
гетероструктур на основе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs
27.1. Введение
27.2. Теоретический анализ и оптимизация
PHEMT-структуры
27.3. Образцы и методы исследований
27.4. Результаты и их обсуждение
27.5. Заключение
Глава 28.
Нестехиометрические дефекты в Si-легированных
эпитаксиальных слоях: GaAs, выращенных на
подложках с ориентациями (111)А и (1П)В
Глава 29.
Дрейфовая скорость электронов в квантовой яме в
сильных электрических полях
29.1. Введение
29.2. Образцы
29.3. Дрейфовая скорость электронов в
квантовой яме AlGaAs/GaAs
29.4. Дрейфовая скорость электронов в
структуре Alo,36Gao,64As/Ino,i5Gao,85As
29.5. Заключение
Глава 30.
AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным
напряжением выше 100 В и с предельной частотой
усиления по мощности fmax до 100 ГГц
30.1. Введение
30.2. Выращивание гетероструктур AlGaN/GaN
30.3. Технология формирования HEMT-
транзисторов
30.4. Вольт-амперные и вольт-фарадные
характеристики транзисторов
30.5. СВЧ-характеристики транзисторов
30.6. Зависимости предельной частоты
усиления по мощности fmax и коэффициента
усиления Kp от параметров топологии
30.7. Выбор оптимальной топологии
секционированных затворов для различных частот
функционирования транзисторов
30.8. Мощностные характеристики базовых
AlGaN/GaN-HEMT-транзисторов
30.9. Заключение
Список авторов