Микроэлектронные измерительные преобразователи

Предисловие
Введение
Список основных сокращений
Глава 1. Общие сведения о датчиках физических
величин
и измерительных схемах
1.1. Классификация датчиков
1.2. Генераторные датчики сигналов
1.2.1. Датчики напряжения
1.2.2. Датчики тока
1.2.3. Датчики заряда
1.3. Параметрические датчики сигналов
1.3.1. Последовательные цепи и делители
напряжения
1.3.2. Мостовые измерительные схемы
1.3.3. Мосты переменного тока
1.3.4. Подключение датчиков к измерительным
схемам
1.3.5. Термокомпенсация резистивного моста
1.3.6. Аналоговый интерфейс "токовая петля"
1.4. Датчики с импульсным выходом
Глава 2. Усилители сигналов сенсоров
2.1. Параметры интегральных операционных
усилителей
2.2. Классификация интегральных
операционных усилителей
2.3. Анализ погрешностей усилителей
2.3.1. Методы анализа усилителей
2.3.2. Структура погрешностей усилителей
2.4. Разновидности специализированных ОУ
2.4.1. Измерительные усилители
2.4.2. Усилители с модуляцией и демодуляцией
сигнала
2.4.3. ДвухканальныеОУ
2.4.4. Усилители с периодической компенсацией
дрейфа нуля (ПКД-усилители)
2.4.5. Программируемые ОУ
2.4.6. Токоразностные ОУ (усилители Нортона)
2.4.7. Изолирующие ОУ
2.5. Однополярное питание ОУ
2.6. Шумы усилительных схем
Глава 3. Датчики физических величин
3.1. Оптоэлектронные датчики
3.1.1. Фоторезисторы
3.1.2. Фотодиоды
3.1.3. Фоточувствительные приборы
с зарядовой связью
3.1.4. Аналоговые
координатно-чувствительные фотоприемники
3.1.5. Пироэлектрические фотоприемники
3.1.6. Полупроводниковые ИК-излучатели
3.1.7. Полупроводниковые лазеры
3.2. Датчики температуры
3.2.1. Металлические термометры
сопротивлений
3.2.2. Терморезисторы
3.2.3. Термопары
3.2.4. Полупроводниковые датчики
температуры
3.3. Датчики деформации и смещения
3.3.1. Металлическиетензодатчики
3.3.2. Полупроводниковые тензодатчики
3.3.3. Пьезоэлектрические датчики
3.3.4. Емкостные датчики
3.4. Датчики магнитного поля
3.4.1. Датчики на эффекте Холла
3.4.2. Магниторезисторы
3.5. Ультразвуковые датчики
Глава 4. Устройства отображения информации
(УОИ)
4.1. Классификация и характеристики УОИ
4.2. Светоиндикаторные диоды (СИД)
4.3. Жидкокристаллические индикаторы
(ЖКИ)
4.4. Газоразрядные индикаторы
4.5. Электролюминесцентные индикаторы
(ЭЛИ)
Глава 5. Системы сбора данных (ССД)
измерительных
преобразователей
5.1. Общие сведения об интегральных ССД
5.1.1. Архитектура ССД
5.1.2. Процессы дискретизации функций
5.1.2.1. Квантование во времени
5.1.2.2. Квантование по уровню
5.1.2.3. Влияние погрешности квантования
на полную погрешность преобразования
5.1.3. Основные характеристики ЦАП/АЦП
5.1.3.1. Статические параметры ЦАП/АЦП
5.1.3.2.Динамические параметры ЦАП/АЦП
5.1.4. Подключение датчиков к ССД
5.2. Цифро-аналоговые преобразователи
5.2.1. Параллельный ЦАП с весовыми
резисторами
5.2.2. Параллельный ЦАП на матрице R-2R
5.2.3. Параллельные ЦАП с токовыми ключами
5.2.4. Сегментированные резистивные ЦАП
5.2.5. ЦАП на коммутируемых конденсаторах
5.2.6. Биполярные ЦАП
5.3. Аналого-цифровые преобразователи
(АЦП)
5.3.1. Классификация АЦП
5.3.2. Быстродействующие АЦП
5.3.2.1. Параллельные АЦП
5.3.2.2. Конвейерные АЦП
5.3.3. Неинтегрирующие АЦП уравновешивания
5.3.3.1. АЦП развертывающего уравновешивания
5.3.3.2. АЦП следящего уравновешивания
5.3.3.3. АЦП поразрядного уравновешивания
5.3.3.4. Оценка характеристик АЦП
уравновешивания
5.3.4. Интегрирующие АЦП
5.3.4.1. АЦП двухтактного интегрирования
5.3.4.2. АЦП с промежуточным преобразованием
в частоту (АЦП-ППЧ)
5.3.4.3.Сигма-дельта АЦП
5.4. Функциональные устройства ЦАП-АЦП
5.4.1. Источники опорных напряжений
5.4.1.1. Стабилитронные ИОН
5.4.1.2. ИОН на биполярных транзисторах
(bandgap)
5.4.1.3. Источники опорного напряжения
на униполярных транзисторах (XFET)
5.4.2. Аналоговые устройства выборки и
хранения
Приложения
Приложение 1. Моделирование измерительных
усилителей
П1.1. Моделирование ИОУ на одном ОУ
П1.2. Моделирование ИОУ на двух ОУ
П1.3. Моделирование ИОУ на трех ОУ
Приложение 2. Моделирование МДМ-усилителей
Приложение 3. Моделирование усилителей с
периодической
компенсацией дрейфа нуля
П3.1. Исследование работы схемы
одноканального ПКД-усилителя
П3.2. Исследование работы схемы
двухканального ПКД-усилителя
Приложение 4. Моделирование интегрального
тензомоста
П4.1. Моделирование температурной
чувствительности тензомоста
П4.2. Методика и пример расчета параметров
модели
Приложение 5. Моделирование интегральных
емкостных
датчиков
П5.1. Однополярный емкостный датчик
П5.2. Дифференциальный емкостной датчик
Приложение 6. Краткое руководство пользователя
Multisim
П6.1. Основы работы с программой Multisim
П6.2. Использование измерительных
инструментов
Список литературы