МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А.

Код товара: 4964968
(0 оценок)Оценить
ОтзывНаписать отзыв
ВопросЗадать вопрос
1 / 2
PDF
764
1 091
Доставим в
г. Москва
Планируемая дата
4 мая (Сб)
Курьером
Л-Пост
бесплатно от 10 000 ₽
В пункт выдачи
от 155 ₽
бесплатно от 10 000 ₽
Точная стоимость доставки рассчитывается при оформлении заказа
Издательство:
Год издания:
2020 г.
Может быть отгружен товар указанного или более позднего года

Описание

Характеристики

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэ- лектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
количество томов
1
количество страниц
488 стр.
переплет
Твёрдый переплёт
размеры
240x170x25 мм
цвет
Белый
тип бумаги
офсетная (60-220 г/м2)
ISBN
978-5-94836-521-3
возрастная категория
18+ (нет данных)
вес
код в Майшоп
4964968
язык
русский

Содержание

Введение
Глава 1. Общая характеристика метода
Глава 2. Термодинамические и кинетические
аспекты МОСГЭ
Глава 3. Массоперенос
Глава 4. Источники, используемые для получения
ЭС AIIIBV и AIIBVI
Глава 5. Механизмы и кинетика химических
реакций
Глава 6. Процессы на поверхности роста
Глава 7. Оборудование МОСГЭ
Глава 8. Моделирование МОСГЭ
Глава 9. МОСГЭ полупроводников AIIIBV
Глава 10. МОСГЭ полупроводников ДИВ^
Глава 11. Другие классы материалов

Отзывы

Вопросы

Поделитесь своим мнением об этом товаре с другими покупателями — будьте первыми!

Дарим бонусы за отзывы!

За какие отзывы можно получить бонусы?
  • За уникальные, информативные отзывы, прошедшие модерацию
Как получить больше бонусов за отзыв?
  • Публикуйте фото или видео к отзыву
  • Пишите отзывы на товары с меткой "Бонусы за отзыв"
Правила начисления бонусов
Задайте вопрос, чтобы узнать больше о товаре
Если вы обнаружили ошибку в описании товара «МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники» (авторы: Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А.), то выделите её мышкой и нажмите Ctrl+Enter. Спасибо, что помогаете нам стать лучше!
Ваш населённый пункт:
г. Москва
Выбор населённого пункта