Процессы плазменного травления в микро- и нанотехнологиях. Учебное пособие

Предисловие редактора
Введение
Глава 1. Физико-химические основы процессов
сухого (вакуумно-плазменного) травления
1.1. Плазма: определения, способы получения,
основные процессы
1.2. Уравнение непрерывности для химически
активных частиц в плазме
1.3. Основные стадии процессов сухого травления
1.3.1. Доставка молекул рабочего газа в зону
плазмы газового разряда
1.3.2. Переход молекул рабочего газа в
энергетические и химически активные частицы
1.3.3. Доставка энергетических и химически
активных газовых частиц к поверхности
обрабатываемого материала
1.3.4. Взаимодействие энергетических и химически
активных частиц с поверхностью обрабатываемого
материала
Глава 2. Технологические основы сухого
(вакуумно-плазменного) травления
2.1. Основные технологические характеристики
процессов травления и их взаимосвязь с
физико-химическими параметрами
2.1.1. Предельно разрешенный размер
2.1.2. Анизотропность процессов ВПТ
2.1.3. Селективность
2.1.4. Неравномерность
2.1.5. Загрузочный эффект
2.1.6. Текстура поверхности
2.2. Факторы, определяющие основные
технологические характеристики процессов ВПТ
2.2.1. Энергия ионного воздействия
2.2.2. Давление
2.2.3. Мощность газового разряда
2.2.4. Температура стенок, подложкодержателя и
обрабатываемой поверхности
2.2.5. Газы и газовые смеси, применяемые для
сухого травления различных материалов
2.2.6. Материалы внутрикамерной оснастки
2.2.7. Загрязнения
2.3. Методы вакуумно-плазменного травления
2.3.1. Ионное травление
2.3.2. Плазмохимическое травление
2.3.3. Реактивно-ионное травление
2.3.4. Радикальное травление
2.3.5. Реакторы вакуумно-плазменного травления
2.4. Тенденции развития плазменных систем в
области высоких технологий
Глава 3. Методы контроля технологических
параметров и диагностики плазмы
3.1. Измерение профиля травления приборами с
индикаторной иглой
3.2. Метод кварцевого резонатора
3.3. Эллипсометрия
3.4. Лазерная интерферометрия
3.5. Растровая электронная микроскопия
3.6. Масс-спектроскопия
3.7. Эмиссионная спектроскопия
3.8. Зондовые измерения
3.9. Методы анализа поверхности и их применение
3.10. Аппаратура и методы исследования
процессов ионно-плазменного травления и анализа
образцов после обработки
Глава 4. Разработка процессов плазмохимического
травления кремния с использованием
компьютерного моделирования
4.1. Основы моделирования процессов травления в
плазме
4.2. Особенности расчетов профилей при
плазмохимическом травлении кремния
4.2.1. Физико-химические основы модели
4.2.2. Математические основы модели
4.2.3. Структурные эффекты
4.3. Математическая модель
4.3.1. Основные частицы и процессы
4.3.2. Описание модели
4.3.3. Методика расчета
Глава 5. Современное применение плазменных
технологий в микроэлектромеханических и
ультрабольших интегральных системах
5.1. Тенденции развития микро- и наносистемной
техники
5.2. Сухое травление полимеров
5.2.1. Характеристики травления для толстых
слоев полимеров
5.2.2. Электрохимическое осаждение никеля в
полимерные микроструктуры
5.2.3. Изготовление керамических микроструктур
5.3. Травление кремниевых микроструктур с
высоким аспектным отношением
5.3.1. Технология глубокого травления с мелким
диффузионным переходом
5.3.2. Особенности изготовления кремниевых
горизонтально управляемых резонаторов
5.4. Полевые кремниевые эмиттеры с заостренным
верхним концом
5.4.1. Регулирование профилей эмиттеров с
применением сухого травления кремния
5.4.2. Изготовление микрозеркал и лазеров с
применением сухого травления
Литература