Технология выращивания кристаллов нитрида галлия

Предисловие редактора перевода
Введение
Предисловие
Часть I. Рынок объемных кристаллов GaN
Глава 1. Развитие рынка подложек из объемного
GaN
Часть II. Технология выращивания из паровой
фазы.
Глава 2. Хлорид-гидридная эпитаксия GaN из
паровой фазы
Глава 3. Выращивание объемных кристаллов GaN с
помощью эпитаксии из гидридной паровой фазы на
затравках монокристаллического GaN
Глава 4. Изготовление отдельных GaN-пластин на
основе эпитаксии из гидридной паровой фазы и с
использованием метода отслоения по линии пустот
на интерфейсе
Глава 5. Выращивание полярных и неполярных
кристаллов GaN с помощью метода HVPE
Глава 6. Высокоскоростной эпитаксиальный метод
выращивания с помощью осаждения
металлорганических соединений из газовой фазы
(MOVPE)
Часть 3. Технология выращивания из раствора
Глава 7. Аммонотермальное выращивание GaN в
аммоноосновном режиме
Глава 8. Пути реализации аммонотермального
метода выращивания объемного GaN
Глава 9. Технология кислотно- аммонотермального
выращивания GaN
Часть IV. Технология выращивания из расплава
Глава 10. Выращивание нитрида галлия из
раствора под высоким давлением.
Глава 11. Краткий обзор использования метода
Na-Flux для выращивания кристаллов GaN
большого размера
Глава 12. Выращивание нитрида галлия в растворе
низкого давления
Часть 5. Описание характеристик кристаллов GaN
Глава 13. Оптические свойства подложек из GaN
Глава 14. Исследование точечных дефектов и
примесей в объемном GaN с помощью
спектроскопии позитронной аннигиляции